Un privilegio la visita de dos grandes de la física peruana: Fernando Ponce y Carlos Rojas

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Fernando Ponce(profesor de la Arizona State University) y Carlos Rojas (investigador del Centre National de la Recherche Scientifique de Francia) han tenido la gentileza de visitar a este modesto servidor, apasionado de la ciencia y admirador de los científicos exitosos.

Fernando es compañero de promoción en la UNI. Invitado regularmente a China por sus alumnos que hoy son líderes empresariales en su país, viene regularmente a Perú y a Brasil. En Brasil trabaja con científicos en su tema, las aplicaciones de la física de la materia condensada.

Juan Carlos forma parte de la nueva generación que tuvo que emigrar para seguir su carrera científica. Con extraordinaria dedicación logró hacerse un lugar en la ciencia francesa. Hoy publica con el premio Nobel Albert Fert.

Fernando Ponce

Professor Ponce’s research group is involved in the study of the microscopic properties of semiconductors materials. The atomic arrangement at extended defects (dislocations) and interfaces is analyzed using lattice-imaging techniques (transmission electron microscopy) with resolutions below 0.2nm, and diffraction contrast imaging techniques. The electronic properties are studied using electron beam induced current imaging. Variations of the electrostatic potential are measured using electron holography in the transmission electron microscopy. Optical transitions are observed using cathodoluminescence spectroscopic imaging.

An important area of interest is the physics of nitride semiconductors. These are GaN-based materials used in light emitting devices, and include InGaN and AlGaN alloys used for visible and ultraviolet LEDs and laser diodes. This research is being supported by the Department of Energy, Nichia Corporation, and the VIGIL Program of DARPA.

Education
PhD, Materials Science and Engineering, Stanford University, 1981
MS, Solid State Physics, University of Maryland, 1975
BS, Physics, Universidad Nacional de Ingenieria, Lima, Peru, 1971
Expertise
materials science
photovoltaic
structure of interfaces and defects in crystalline materials
nanotechnology
x-ray diffraction
microanalysis
epitaxy
laser
optical devices
solar energy
semiconductors
thin film materials
energy efficiency technologies

Carlos Rojas Sánchez

uan Carlos Rojas Sánchez, físico egresado de la UNI, y Albert Fert, premio Nobel de Física 2007, acaban de publicar un artículo sobre espintrónica, el campo que está revolucionando las tecnologías de la información y la comunicación.

DOI: 10.1103/PhysRevApplied.11.054049

Juan Carlos Rojas Sánchez, expondrá en el ECI 2019 de invierno (30 de julio – 1 de agosto). Su presentación es titulada “La espintrónica o la electrónica del espín: ya la usamos aunque no la conozcamos”

Juan Carlos Rojas Sánchez es Investigador CNRS (Francia).

CV resumido

• Fíísico experimental en nanomateriales, nanomagnetismo, espintrónica y spin-orbitrónica.
• Egresado de FC/UNI (1999). Doctor en Física (2011, Argentina).
• Profesor (2010) en la Sección de Post-grado de la FC/UNI.
• Durante su doctorado fabricó y caracterizó películas delgadas a base de manganitas.
• Fue pionero en mostrar la existencia del efecto de «exchange bias» en sistemas tipo LaSrMnO3/LaNiO3 (LSMO/LNO). Realizó la microfabricación de junturas túnel magnética (MTJ) para estudiar la magnetoresistencia túnel (TMR) en tricapas de LSMO/CMO/LSMO.
• Tuvo una posición conjunta como investigador Post-doctoral en el CEA-Grenoble, Francia entre 2011 y 2013. El proyecto fue sobre efecto Hall de espín y espín-órbita en general, por lo cual tuvo una estrecha colaboración con Albert Fert (premio Nobel de física 2007) y su grupo en la unidad mixta CNRS/Thales en París, Francia.
• Realizó un post-doctorado entre 2013 y 2015 en CNRS/Thales.
• Estudió efectos de espín órbita usando el efecto de bombeo de espín (spin pumping, SP) mediante resonancia ferromagnética (FMR). Para ello puso en funcionamiento la configuración experimental para medir el inverso del efecto Hall de espín (ISHE), o el inverso del efecto Edelstein (IEE). Ha mostrado estos efectos en metales, semiconductores, aleaciones y aislantes topológicos.
• Usa nanodispositivos a base de válvulas de espín lateral (LSV) y medidas de magnetotransporte no-local para generar/detectar corriente pura de espín.
• Ha contribuido con publicaciones y presentaciones orales en diversas conferencias nacionales e internacionales (Perú, Argentina, Francia, Canada, USA).
• Actualmente es investigador CNRS en el Institut Jean Lamour.